20N06L TO252
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道
20N06L TO252的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）35A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻31mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）3W
类型N沟道
20N06L TO252
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| 20N06L TO252 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道 | VBsemi(台湾微碧) |  | 770.69 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
20N06L TO252的全球分销商及价格
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立创商城 | 20N06L TO252 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道 | 1+:￥1.3535
10+:￥1.0002
30+:￥0.9353
100+:￥0.8704
500+:￥0.8415
1000+:￥0.8273
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